Выпускаемая сегодня модель оже-микроанализатора JAMP-9510F оснащается термополевым катодом и имеет электронно-оптическую систему новой конструкции, которая позволила значительно повысить пространственное решение, давая возможность получать на JAMP-9510F электронный зонд с минимальным диаметром 3 нм (в режиме вторичной электронной эмиссии) и 8 нм (в режиме Оже-анализа).
JAMP-9510F - это сверхвысоковакуумный аналитический РЭМ, обладающий высоким разрешением во вторичных электронах и очень высоким разрешением в Оже-электронах, оснащенный спектрометром энергии электронов высокого разрешения (до 0,05%), с помощью которого можно осуществлять не только элементный, но и химический анализ (т.е., например, различать кремний в окисле и кремний в чистом состоянии), что позволяет проводить тонкие исследования профилей концентрации элементов на границах раздела в многослойных полупроводниковых структурах.
| Разрешение во вторичных электронах | 3 нм (при 25 кВ, 10 пА) |
| Диаметр зонда для Оже-микроанализа | 8 нм (при 25 кВ, 1 нА) |
| Тип электронной пушки | термополевой катод Шоттки |
| Энергия электронного зонда | от 0,5 до 30 кэВ |
| Ток зонда | от 10 пА до 0,2 мкА |
| Увеличение | от 25 до 500 000 крат |
| Оже-спектрометр | полусферический электростатический анализатор |
| Разрешение по энергии Оже-спектрометра | от 0,05 до 0,6 % |
| Чувствительность Оже-спектрометра | 840 000 имп / 7 каналов*сек |
| Система детектирования Оже-спектрометра | многоканальный детектор |
| Ускоряющее напряжение ионной пушки | от 0,01 до 4 кВ (от 10 до 100 В для нейтрализации заряда) |
| Ионный ток | 2 мкА или более при 3 кВ и 0,03 мкА или более при 0,01 кВ |
| Функция нейтрализации поверхностного заряда на образце | встроена |
| Диапазон перемещения столика образцовобразце | X: ±10 мм; Y: ±10 мм; Z: ±6 мм; наклон: от 0 до 90 градусов; поворот: 360 градусов |
| Размер образца | 20 мм диаметр, 5 мм толщина |
| Предельное давление в камере образцов | 5 х 10-8 Па или менее |
| Отжиг колонны | система отжига встроена, отжиг автоматический |
| Изображения | спектры, профилирование по глубине, линейные профили, картирование в Оже-электронах, изображение во вторичных электронах |